專利簡介
本案是一種用於承載高功率晶片（例如雷射晶片）的多層式複合型散熱基板，目的在於克服傳統陶瓷散熱基板導熱性不足、且與晶片熱膨脹匹配不佳而易生熱應力，進而限制高功率晶片效能與壽命的問題。其結構由核心基板、第一絕緣層、第一電極層、第二電極層與焊料層堆疊而成：核心基板的兩面分別配置電極層，絕緣層位於核心基板與電極層之間並採用氮化物、氧化物或氮氧化合物等材料，焊料層則形成於第一電極層的頂面以承載晶片。藉由此一層狀複合結構，相較於傳統陶瓷基板具有更高的導熱性，當高功率晶片裝設於焊料層上運作時，能有效將熱導出、提升散熱基板與晶片之間的結合匹配度，從而改善高功率晶片的效能與使用壽命。
如何取得專利
本案於初審階段收到審查意見通知函，審查委員以引證 1（TW202312374A）認為全部十項請求項相對於該前案不具進步性，不符專利法第 22 條第 2 項之規定；同時指出說明書部分用語（如「通常光纖通訊」）語意不明確，以及請求項 1 中以「下方」描述電極層位置欠缺明確定義，分別不符專利法第 26 條第 1 項與第 2 項之規定。
答辯時，先就上述不明確的記載進行修正，再就進步性提出論述核心：引證 1 所揭示的「再分佈層」與本案的「電極層」在散熱機制上本質不同。答辯中援引傅立葉熱傳導定律說明，熱傳導兩端的溫差與熱傳遞路徑的長度成正比、與截面積成反比；在引證 1 中，晶片所產生的熱必須先經由再分佈導孔，再經多個垂直與橫向的再分佈連接件，才能輾轉傳遞至基板表面，其熱傳遞路徑明顯較長、且導孔的截面積甚小，並不利於高功率元件散熱；反觀本案以電極層直接導熱，路徑短、截面積大，能有效降低兩端溫差。
答辯中並進一步指出，本案的「焊料層」是與電極層頂面緊密貼合的大面積層狀結構，與引證 1 中僅以兩端些微接觸的「焊球」相比，接觸截面積相差甚遠，因而在熱量傳遞上明顯較為優異。據此主張，引證 1 所處者實為低發熱元件的技術領域，其結構設計於面對高功率元件時反而會因散熱不良而導致元件燒毀，等同對本案「縮短路徑、增大截面」的設計給出了反向教示；而依專利審查基準，反向教示為肯定進步性的因素之一，足以佐證本案具有進步性。
經由上述修正與逐項論述，說明本案的散熱結構並非所屬技術領域者依引證所能輕易完成。本案後續再經審查程序，最終經審定核准公告。
相關文件
上列審查文件檔案均已公開於專利主管機關網站，任何人皆可自行查閱。